삼성전자가 차세대 낸드플래시 메모리 제조 공정에 중국 YMTC의 특허를 사용할 계획인 것으로 전해졌다. 삼성전자는 400단대 낸드플래시 메모리 양산을 앞두고 공정에 필수적으로 적용될 것으로 예상되는 ‘하이브리드 본딩’ 관련 특허 분쟁을 회피하기 위해 이 같은 계약을 맺은 것으로 추정된다.

24일 업계에 따르면, 삼성전자는 YMTC와 3차원(D) 낸드 제조를 위한 ‘하이브리드 본딩’ 라이선스 계약을 체결한 것으로 알려졌다. 하이브리드 본딩은 기존 칩을 연결하던 ‘범프’ 없이 구리를 통해 칩을 쌓아, 칩 사이즈를 줄이면서 성능까지 높일 수 있는 공정이다. 업계에서는 낸드플래시 메모리의 적층 단수가 400단대를 넘어가면서 하이브리드 본딩이 필수 공정으로 자리잡을 것으로 예상하고 있다.

YMTC는 하이브리드 본딩 특허를 등록해 낸드플래시 메모리 제조 공정에 관련 기술을 처음 적용했다. YMTC는 시장 점유율 측면에서는 삼성전자와 SK하이닉스 등 글로벌 메모리 반도체 기업에 크게 뒤지지만, 최근 294단 낸드플래시 메모리를 양산하는 등 빠르게 한국 기업을 뒤쫓고 있다.

삼성전자는 향후 YMTC와의 특허 분쟁을 피하기 위해 특허 계약을 체결한 것으로 분석된다. 삼성전자와 YMTC가 서로의 특허를 침해할 가능성이 높은 것으로 예상되는 기술에 대해 사용권 관련 계약을 사전에 맺은 것이다. 반도체 업계 관계자는 “메모리 반도체 업계에서는 차세대 제품 개발 및 제조를 앞두고 특허 분쟁을 회피하기 위해 사전에 라이선스 계약을 맺는다”며 “통상적으로 메모리 반도체 업계에서 관례적으로 맺는 계약이지만, 낸드플래시 메모리 시장 점유율 1위 기업인 삼성전자가 중국 기업의 특허를 활용한다는 점에서 중국과의 기술 격차가 빠르게 좁혀지는 것이 아니냐는 우려가 커지고 있는 것은 사실”이라고 했다.